| 半導體功率器件是電力電子系統的核心元件，近年來隨著新能源、電動汽車等新興領域的發展而迎來了新的機遇。目前，半導體功率器件在材料、工藝、封裝技術等方面不斷創新，通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導體材料，提高了器件的工作溫度、電壓等級和開關頻率。隨著電動汽車市場的快速增長，半導體功率器件在電機驅動、車載充電等方面的應用需求不斷增加，推動了技術的快速迭代。此外，隨著智能制造的推進，半導體功率器件的生產更加注重自動化和智能化，通過引入先進制造設備、優化生產流程等方式，提高了生產效率和產品質量。 | |
| 未來，半導體功率器件作為電力電子系統的核心元件，近年來隨著新能源、電動汽車等新興領域的發展而迎來了新的機遇。目前，半導體功率器件在材料、工藝、封裝技術等方面不斷創新，通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導體材料，提高了器件的工作溫度、電壓等級和開關頻率。隨著電動汽車市場的快速增長，半導體功率器件在電機驅動、車載充電等方面的應用需求不斷增加，推動了技術的快速迭代。此外，隨著智能制造的推進，半導體功率器件的生產更加注重自動化和智能化，通過引入先進制造設備、優化生產流程等方式，提高了生產效率和產品質量。 | |
| 研究對象 | |
| 主要結論 | |
| 重要發現 | |
| 一、2009年全球半導體功率器件市場概述 | |
| 詳^情：http://www.qdlaimaiche.com/R_2010-02/2009_2010bandaotigonglvqijianshichan.html | |
| ?。ㄒ唬┦袌鲆幠Ｅc增長 | |
| （二）基本特點 | |
| 1、市場呈現負增長 | |
| 2、局部市場表現各有不同 | |
| ?。ㄈ┲饕獓遗c地區 | |
| 1、美國 | |
| 2、歐洲 | |
| 3、日本 | |
| 二、2009年中國半導體功率器件市場概述 | |
| ?。ㄒ唬┦袌鲆幠Ｅc增長 | |
| ?。ǘ┗咎攸c | |
| 1、電源管理IC市場需求不振 | |
| 2、3G、照明成為MOSFET市場發展亮點 | |
| 2009-2010 Annual Report on semiconductor power devices market | |
| 3、本土企業市場競爭力有所提升 | |
| （三）市場結構分析 | |
| 1、產品結構 | |
| 2、應用結構 | |
| 三、2010-2012年中國功率器件市場發展預測分析 | |
| ?。ㄒ唬?010-2012年中國功率器件市場規模預測分析 | |
| （二）2010-2012年中國功率器件市場結構預測分析 | |
| 1、產品結構 | |
| 2、應用結構 | |
| 四、2010-2012年中國功率器件市場趨勢預測 | |
| ?。ㄒ唬┊a品與技術 | |
| 2009-2010年中國半導體功率器件市場研究年度報告 | |
| ?。ǘ﹥r格 | |
| ?。ㄈ┣?/td> | |
| 五、2009年中國功率器件市場細分產品研究 | |
| ?。ㄒ唬㎝OSFET | |
| 1、市場規模與增長 | |
| 2、電壓結構 | |
| 3、應用結構 | |
| 4、封裝結構 | |
| （二）IGBT | |
| ?。ㄈ╇娫垂芾鞩C | |
| 六、中國功率器件市場競爭力分析 | |
| （一）整體競爭格局 | |
| 2009-2010 nián zhōngguó bàndǎotǐ gōnglǜ qìjiàn shìchǎng yánjiū niándù bàogào | |
| ?。ǘ┲攸c廠商競爭策略與SWOT分析 | |
| 1、Fairchild | |
| 2、ST | |
| 3、Vishay | |
| 4、...... | |
| 七、建議 | |
| 表目錄 | |
| *2006-2009年中國功率器件市場規模 | |
| *2009年中國功率器件市場結構 | |
| *2009年中國功率器件市場應用結構 | |
| *2009年中國MOSFET市場規模 | |
| *2009年中國MOSFET市場應用結構 | |
| 半導體パワーデバイス市場で2009年から2010年年次報告書 | |
| *2009年中國MOSFET市場電壓結構 | |
| ...... | |
| 圖目錄 | |
| *2006-2009年全球功率器件市場規模 | |
| *2009年中國功率器件市場品牌結構 | |
| *2009年中國MOSFET市場品牌結構 | |
| *2009年中國IGBT市場品牌結構 | |
| ...... | |
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略……
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