半導體材料是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎之一，因其具備良好的電性能調控能力而廣泛應用于集成電路、光電器件等多個領域。近年來，隨著微電子技術和納米技術的發(fā)展，對于高效、智能的半導體材料需求不斷增加。目前，市場上半導體材料的技術已經(jīng)相對成熟，能夠提供穩(wěn)定的性能。隨著材料科學和制造工藝的進步，采用高性能材料和先進的制造工藝可以提高半導體材料的純度和電性能。此外，隨著生產(chǎn)工藝的優(yōu)化，半導體材料的生產(chǎn)效率和質量控制水平得到了提高。然而，半導體材料的成本較高，且對于使用環(huán)境有一定要求，這在一定程度上限制了其在某些地區(qū)的應用。

　　未來，隨著智能制造和微納電子技術的發(fā)展，半導體材料將朝著更加高效、智能化、低能耗的方向發(fā)展。通過引入先進的材料合成技術和智能控制系統(tǒng)，可以進一步提高半導體材料的性能和可靠性，實現(xiàn)遠程監(jiān)控和故障診斷。同時，通過優(yōu)化設計和提高制造精度，降低材料的體積和重量，提高便攜性和操作便利性。此外，隨著新材料技術的應用，用于生產(chǎn)低能耗、環(huán)保型半導體材料的技術將成為研究熱點，減少對環(huán)境的影響。然而，如何在保證半導體材料性能的同時，降低生產(chǎn)成本，提高市場競爭力，是半導體材料制造商需要解決的問題。此外，如何加強與科研機構的合作，推動技術成果轉化，也是推動行業(yè)創(chuàng)新的重要途徑。

第一章 半導體材料相關知識介紹

　　1.1 半導體材料簡介

　　　　1.1.1 半導體材料的定義

　　　　1.1.2 半導體材料分類

　　　　1.1.3 常用半導體材料特性介紹

　　1.2 半導體材料制備工藝

　　　　1.2.1 半導體材料提純技術

　　　　1.2.2 半導體單晶制備工藝

　　　　1.2.3 半導體材料中雜質和缺陷的控制

第二章 2011-2013年半導體材料行業(yè)分析

　　2.1 2010-2011年全球半導體材料行業(yè)回顧

　　　　2.1.1 2009年全球半導體材料市場概況

　　　　2.1.2 2010年半導體材料市場需求強勁反彈

　　　　2.1.3 2011年全球半導體材料市場營收再創(chuàng)新高

　　2.2 2013-2014年中國半導體材料行業(yè)情況分析

　　　　2.2.1 中國半導體材料產(chǎn)業(yè)日益壯大

　　　　2.2.2 國內半導體材料企業(yè)技術水平和服務能力迅速提升

　　　　2.2.3 國內半導體設備材料市場現(xiàn)狀

　　　　2.2.4 半導體材料產(chǎn)業(yè)受政策大力支持

　　2.3 2011-2013年國內外半導體材料研發(fā)動態(tài)

轉載~自：http://www.qdlaimaiche.com/2013-12/BanDaoTiCaiLiaoHangYeFaZhanXianZhuangFenXi/

　　　　2.3.1 intel公司研發(fā)半導體新材料取得重大突破

　　　　2.3.2 德國成功研制有機薄膜半導體新材料

　　　　2.3.3 國內n型有機半導體材料研究獲新進展

　　　　2.3.4 中科院與山東大學合作研究多功能有機半導體材料

　　2.4 半導體材料行業(yè)面臨的形勢及發(fā)展前景預測

　　　　2.4.1 市場需求推動半導體材料創(chuàng)新進程

　　　　2.4.2 國內半導體材料企業(yè)加快技術創(chuàng)新步伐

　　　　2.4.3 半導體材料未來發(fā)展趨勢預測

　　　　2.4.4 中國半導體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望

　　　　2.4.5 對2014-2018年中國半導體材料行業(yè)發(fā)展預測分析

第三章 2011-2013年半導體硅材料產(chǎn)業(yè)分析

　　3.1 2011-2013年半導體硅材料行業(yè)概述

　　　　3.1.1 世界各國均重視半導體硅材料行業(yè)發(fā)展

　　　　3.1.2 國內硅材料企業(yè)增強競爭力需內外兼修

　　　　3.1.3 發(fā)展我國高技術硅材料產(chǎn)業(yè)的建議

　　3.2 多晶硅

　　　　3.2.1 國際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況

　　　　3.2.2 全球多晶硅產(chǎn)量情況分析

　　　　3.2.3 中國多晶硅行業(yè)分析

　　　　3.2.4 國內多晶硅市場現(xiàn)狀

　　　　3.2.5 中國應重視多晶硅核心技術研發(fā)

　　　　3.2.6 國內多晶硅行業(yè)將迎來整合浪潮

　　3.3 單晶硅

　　　　3.3.1 單晶硅的特性簡介

　　　　3.3.2 國際單晶硅市場概況

　　　　3.3.3 中國單晶硅市場探析

　　　　3.3.4 國內18英寸半導體級單晶硅棒投產(chǎn)

　　3.4 硅片

　　　　3.4.1 國際硅片市場概況

　　　　3.4.2 全球硅片價走勢分析

　　　　3.4.3 2011年全球硅片價格下滑

　　　　3.4.4 2012年全球硅片市場動態(tài)

　　　　3.4.5 中國硅片市場發(fā)展解析

　　　　3.4.6 450mm硅片市場研發(fā)及投資潛力分析

　　3.5 半導體硅材料及其替代品發(fā)展前景預測

　　　　3.5.1 我國半導體硅材料行業(yè)發(fā)展機遇分析

　　　　3.5.2 各國企業(yè)積極研發(fā)替代硅的半導體材料

　　　　3.5.3 石墨納米帶可能取代硅材料位置

第四章 2011-2013年第二代半導體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

　　4.1 砷化鎵（gaas）

　　　　4.1.1 砷化鎵材料簡介

　　　　4.1.2 砷化鎵材料的主要特性

　　　　4.1.3 砷化鎵材料與硅材料特性對比研究

　　4.2 2011-2013年國內外砷化鎵產(chǎn)業(yè)分析

2014 version of the Chinese semiconductor materials market research and development forecast report

　　　　4.2.1 砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的主要特點

　　　　4.2.2 國外砷化鎵材料技術研發(fā)概況

　　　　4.2.3 國內砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)情況分析

　　　　4.2.4 國內砷化鎵材料生產(chǎn)技術及發(fā)展趨勢

　　　　4.2.5 發(fā)展我國砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的建議

　　　　4.2.6 中國砷化鎵材料行業(yè)戰(zhàn)略思路

　　4.3 2011-2013年砷化鎵市場應用及需求分析

　　　　4.3.1 砷化鎵應用領域概述

　　　　4.3.2 砷化鎵在微電子領域的應用分析

　　　　4.3.3 砷化鎵在光電子領域的應用情況

　　　　4.3.4 砷化鎵在太陽能電池行業(yè)的應用與發(fā)展分析

　　　　4.3.5 gaas單晶市場和應用需求分析

　　　　4.3.6 砷化鎵市場展望

　　4.4 磷化銦（inp）

　　　　4.4.1 磷化銦材料概述

　　　　4.4.2 磷化銦商業(yè)化生產(chǎn)面臨難題

　　　　4.4.3 磷化銦材料應用前景預測

第五章 2011-2013年第三代半導體材料市場運行情況分析

　　5.1 2011-2013年第三代半導體材料概述

　　　　5.1.1 第三代半導體材料發(fā)展概況

　　　　5.1.2 第三代半導體材料在led產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展和應用

　　5.2 碳化硅（sic）

　　　　5.2.1 sic材料的性能及制備方法

　　　　5.2.2 國內碳化硅晶片市場情況分析

　　　　5.2.3 sic半導體器件及其應用情況

　　　　5.2.4 國內外sic器件研發(fā)新成果

　　5.3 氮化鎵（gan）

　　　　5.3.1 gan襯底技術新進展及應用

　　　　5.3.2 國內非極性gan材料研究取得重要進展

　　　　5.3.3 gan材料應用市場前景看好

　　5.4 2011-2013年寬禁帶功率半導體器件發(fā)展分析

　　　　5.4.1 寬禁帶功率半導體器件概述

　　　　5.4.2 碳化硅功率器件發(fā)展分析

　　　　5.4.3 氮化鎵功率器件分析

　　　　5.4.4 寬禁帶半導體器件行業(yè)展望

第六章 2011-2013年半導體材料下游行業(yè)分析

　　6.1 半導體行業(yè)

　　　　6.1.1 2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析

　　　　6.1.2 2012年中國半導體業(yè)發(fā)展情況分析

　　　　6.1.3 半導體行業(yè)需轉變經(jīng)營模式

　　　　6.1.4 低碳經(jīng)濟助推半導體市場新一輪發(fā)展

　　　　6.1.5 半導體產(chǎn)業(yè)對上游材料市場需求加大

　　6.2 半導體照明行業(yè)

　　　　6.2.1 國內外半導體照明產(chǎn)業(yè)概況

2014版中國半導體材料市場調研與發(fā)展前景預測報告

　　　　6.2.2 中國半導體照明行業(yè)發(fā)展勢頭良好

　　　　6.2.3 中國半導體照明產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)分析

　　　　6.2.4 上游原材料對半導體照明行業(yè)的影響分析

　　6.3 太陽能光伏電池產(chǎn)業(yè)

　　　　6.3.1 中國光伏產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　　　6.3.2 國內光伏市場需求尚未開啟

　　　　6.3.3 光伏產(chǎn)業(yè)理性發(fā)展分析

　　　　6.3.4 晶硅電池仍將是太陽能光伏主流產(chǎn)品

　　　　6.3.5 多晶硅在太陽能光伏行業(yè)的應用前景預測

第七章 (中^智^林)2011-2013年半導體材料行業(yè)重點企業(yè)分析

　　7.1 有研半導體材料股份有限公司

　　　　7.1.1 公司概況

　　　　7.1.2 2011年1-12月有研硅股經(jīng)營狀況分析

　　　　7.1.3 2012年1-12月有研硅股經(jīng)營狀況分析

　　　　7.1.4 2013年1-6月有研硅股經(jīng)營狀況分析

　　7.2 天津中環(huán)半導體股份有限公司

　　　　7.2.1 公司概況

　　　　7.2.2 2011年1-12月中環(huán)股份經(jīng)營狀況分析

　　　　7.2.3 2012年1-12月中環(huán)股份經(jīng)營狀況分析

　　　　7.2.4 2013年1-6月中環(huán)股份經(jīng)營狀況分析

　　7.3 峨眉半導體材料廠

　　　　7.3.1 公司概況

　　　　7.3.2 峨嵋半導體材料廠發(fā)展成就回顧

　　　　7.3.3 峨眉半導體廠走出品牌發(fā)展道路

　　　　7.3.4 峨眉半導體廠硅芯切割工藝實現(xiàn)突破

　　7.4 四川新光硅業(yè)科技有限責任公司

　　　　7.4.1 公司概況

　　　　7.4.2 新光硅業(yè)加大創(chuàng)新和管理力度

　　　　7.4.3 新光硅業(yè)不斷提高產(chǎn)品質量和環(huán)境管理水平

　　7.5 洛陽中硅高科技有限公司

　　　　7.5.1 公司概況

　　　　7.5.2 中硅高科堅持走自主創(chuàng)新道路

　　　　7.5.3 中硅高科多晶硅集成工藝技術獲新突破

　　　　7.5.4 中硅高科年產(chǎn)2000噸多晶硅項目通過國家驗收

圖表目錄

　　圖表 主要半導體材料的比較

　　圖表 半導體材料的主要用途

　　圖表 全球半導體材料市場對比分析

　　圖表 半導體前道工藝中使用的各種材料預測分析

　　圖表 全球半導體封裝材料市場情況

2014 bǎn zhōngguó bàndǎotǐ cáiliào shìchǎng tiáo yán yǔ fāzhǎn qiánjǐng yùcè bàogào

　　圖表 全球半導體材料主要區(qū)域市場分析

　　圖表 分子材料otft器件的結構示意圖及器件的轉移曲線

　　圖表 分子材料otft器件的穩(wěn)定性測試

　　圖表 以單根微米單晶線制備的場效應晶體管和電流-電壓曲線

　　圖表 中國半導體材料需求量

　　圖表 2009年4月-2010年4月二氧化硅月度進口量變化圖

　　圖表 單晶硅產(chǎn)業(yè)鏈圖示

　　圖表 全球太陽能電池產(chǎn)量變化

　　圖表 全球太陽能電池市場消耗硅材料量

　　圖表 世界主要太陽能電池用硅片制造商產(chǎn)量一覽表

　　圖表 世界主要太陽能級單晶硅材料制造商產(chǎn)量一覽表

　　圖表 我國太陽能級硅單晶生產(chǎn)情況分析

　　圖表 我國太陽能用單晶硅消耗量

　　圖表 我國太陽能級單晶硅材料制造商的生產(chǎn)能力和產(chǎn)量一覽表

　　圖表 現(xiàn)代微電子工業(yè)對硅片關鍵參數(shù)的要求

　　圖表 各種不同硅片尺寸的價格

　　圖表 各種不同工藝節(jié)點的硅片售價變化圖

　　圖表 全球硅片出貨量按尺寸計預測分析

　　圖表 中國硅片市場產(chǎn)品結構

　　圖表 300mm硅片生產(chǎn)線每年的興建數(shù)量與預測分析

　　圖表 全球芯片數(shù)量與硅片需求量預測分析

　　圖表 砷化鎵晶體特性

　　圖表 gaas晶體的物理特性

　　圖表 gaas材料與si材料的特性比較

　　圖表 國內砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術及開發(fā)情況（液封直拉法）

　　圖表 國內砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術及開發(fā)情況（水平布里幾曼法）

　　圖表 國內砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術及開發(fā)情況（垂直梯度凝固法）

　　圖表 我國砷化鎵材料發(fā)展戰(zhàn)略

　　圖表 砷化鎵電子器件和光電子器件應用領域

　　圖表 砷化鎵器件的應用領域

　　圖表 sic材料的優(yōu)良特性

　　圖表 1.6*1016cm-3n摻雜4h-sic肖管反向漏電流溫度特性

　　圖表 垂直碳化硅功率jfet結構（不需重新外延）

　　圖表 垂直碳化硅功率jfet結構（需重新外延）

　　圖表 氮化鎵hemt器件（硅襯底）

　　圖表 總體半導體營業(yè)收入最終估值（按地區(qū)細分）

　　圖表 25大半導體供應商全球營業(yè)收入最終排名

　　圖表 中國半導體產(chǎn)業(yè)銷售額對比

　　圖表 ti公司的業(yè)務轉型

　　圖表 富士通非常重視gan功率半導體的發(fā)展

　　圖表 世界太陽能電池產(chǎn)量

　　圖表 中國多晶硅產(chǎn)能規(guī)劃

　　圖表 中國光伏建議裝機量

中國の半導體材料市場の研究開発の予測レポートの2014年版

　　圖表 2011年1-12月有研硅股主要財務數(shù)據(jù)

　　圖表 2011年1-12月有研硅股非經(jīng)常性損益項目及金額

　　圖表 2009年-2011年有研硅股主要會計數(shù)據(jù)和主要財務指標

　　圖表 2011年1-12月有研硅股主營業(yè)務分行業(yè)、產(chǎn)品情況

　　圖表 2011年1-12月有研硅股主營業(yè)務分地區(qū)情況

　　圖表 2012年1-12月有研硅股主要財務數(shù)據(jù)

　　圖表 2012年1-12月有研硅股非經(jīng)常性損益項目及金額

　　圖表 2010年-2012年有研硅股主要會計數(shù)據(jù)和主要財務指標

　　圖表 2012年1-12月有研硅股主營業(yè)務分行業(yè)、產(chǎn)品情況

　　圖表 2012年1-12月有研硅股主營業(yè)務分地區(qū)情況

　　圖表 2013年1-6月有研硅股主要會計數(shù)據(jù)及財務指標

　　圖表 2013年1-6月有研硅股非經(jīng)常性損益項目及金額

　　圖表 2011年1-12月中環(huán)股份主要財務數(shù)據(jù)

　　圖表 2011年1-12月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項目及金額

　　圖表 2009年-2011年中環(huán)股份主要會計數(shù)據(jù)和主要財務指標

　　圖表 2011年1-12月中環(huán)股份主營業(yè)務分行業(yè)、產(chǎn)品情況

　　圖表 2011年1-12月中環(huán)股份主營業(yè)務分地區(qū)情況

　　圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主要財務數(shù)據(jù)

　　圖表 2012年1-12月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項目及金額

　　圖表 2010年-2012年中環(huán)股份主要會計數(shù)據(jù)和主要財務指標

　　圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主營業(yè)務分行業(yè)、產(chǎn)品情況

　　圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主營業(yè)務分地區(qū)情況

　　圖表 2013年1-6月中環(huán)股份主要會計數(shù)據(jù)及財務指標

　　圖表 2013年1-6月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項目及金額

　　圖表 峨半廠主要產(chǎn)品產(chǎn)量變化

　　產(chǎn)業(yè)調研網(wǎng)

　　http://www.qdlaimaiche.com/2013-12/BanDaoTiCaiLiaoHangYeFaZhanXianZhuangFenXi/

　　略……